分类:
MOS管(5)
品牌:
Infineon (英飞凌)(5)
多选
封装:
TSOP-6-6(5)
包装:
Tape & Reel (TR)(3)
Cut Tape (CT)(2)
多选
型号/品牌/封装
品类/描述
库存
价格(含税)
资料
  • 封装: TSOP-6-6
    品类: MOS管
    描述: Infineon OptiMOS™P P 通道功率 MOSFET **Infineon** **OptiMOS**™ P 通道电源 MOSFET 设计用于提供增强功能,以便达到质量指标。 特征包括超低切换损耗、通态电阻、雪崩额定值以及达到汽车解决方案的 AEC 标准。 应用包括:直流-直流、电动机控制、汽车和 eMobility。 增强型模式 雪崩等级 低切换和传导功率损耗 无铅引线电镀;符合 RoHS 标准 标准封装 OptiMOS™ P 通道系列:温度范围为 -55°C 至 +175°C ### MOSFET 晶体管,Infineon Infineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
    6562
    5-24
    3.0240
    25-49
    2.8000
    50-99
    2.6432
    100-499
    2.5760
    500-2499
    2.5312
    2500-4999
    2.4752
    5000-9999
    2.4528
    ≥10000
    2.4192
  • 品类: MOS管
    描述: 晶体管, MOSFET, N沟道, 4.5 A, 60 V, 0.049 ohm, 10 V, 1.8 V
    1573
    10-49
    1.2015
    50-99
    1.1392
    100-299
    1.0947
    300-499
    1.0680
    500-999
    1.0413
    1000-2499
    1.0146
    2500-4999
    0.9746
    ≥5000
    0.9657
  • 封装: TSOP-6-6
    品类: MOS管
    描述: Infineon OptiMOS™P P 通道功率 MOSFET **Infineon** **OptiMOS**™ P 通道电源 MOSFET 设计用于提供增强功能,以便达到质量指标。 特征包括超低切换损耗、通态电阻、雪崩额定值以及达到汽车解决方案的 AEC 标准。 应用包括:直流-直流、电动机控制、汽车和 eMobility。 增强型模式 雪崩等级 低切换和传导功率损耗 无铅引线电镀;符合 RoHS 标准 标准封装 OptiMOS™ P 通道系列:温度范围为 -55°C 至 +175°C ### MOSFET 晶体管,Infineon Infineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
    8217
    10-49
    1.2015
    50-99
    1.1392
    100-299
    1.0947
    300-499
    1.0680
    500-999
    1.0413
    1000-2499
    1.0146
    2500-4999
    0.9746
    ≥5000
    0.9657
  • 品类: MOS管
    描述: N沟道 20V 7.5A
    8609
    5-24
    1.8090
    25-49
    1.6750
    50-99
    1.5812
    100-499
    1.5410
    500-2499
    1.5142
    2500-4999
    1.4807
    5000-9999
    1.4673
    ≥10000
    1.4472
  • 品类: MOS管
    描述: MOSFET P-CH DUAL 30V 1.5A TSOP-6
    1243
    20-49
    0.0000
    50-99
    0.0000
    100-299
    0.0000
    300-499
    0.0000
    500-999
    0.0000
    1000-4999
    0.0000
    5000-9999
    0.0000
    ≥10000
    0.0000

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